JEDEC이 표준을 정하는 속도가 데이터센터가 크는 속도를 못 따라가고 있어. HBM4부터 메모리 스택의 맨 밑 다이, base die를 회사가 원하는 대로 고칠 수 있는 옵션이 생겼는데, 이 옵션은 처음부터 하이퍼스케일러를 겨냥해.1

Marvell의 데이터센터 메모리 솔루션 부사장 Khurram Malik은 이유를 이렇게 말해. “JEDEC은 표준화가 느립니다. 하이퍼스케일러는 훨씬 빠르게 움직이고, 질문은 ‘자기 워크로드에 맞춰 HBM base die를 어떻게 커스터마이즈할 것인가’로 바뀝니다.”1

왜 하필 base die가 바뀌나

HBM3까지는 마이크론·삼성·SK하이닉스 같은 메모리 제조사가 base die를 포함해 스택의 모든 레이어를 직접 설계하고 만들었어.1 base die는 원래 D램과 같은 공정으로 찍었거든.

그런데 HBM4부터는 전력과 성능을 위해 base die가 더 앞선 로직 공정(4나노급 이하로 추정)으로 옮겨갔어. D램 공정으로는 거기까지 못 가니까, 메모리 회사는 표준 base die를 여전히 설계하지만 실제로 찍는 건 로직 파운드리 몫이 됐지.1

결국 커스텀 base die는 차별화 얘기야. Synopsys의 제품관리 이사 Rob Kruger는 “차별화하는 방법 중 하나가 cHBM 모델”이라고 말해.1

누가 얼마나 가져가나

Marvell을 보면 감이 와. Marvell은 커스텀 클라우드 컴퓨팅 전담 사업부를 두고 고객사별 XPU를 커스터마이즈하는데, 커스텀 HBM 구현을 추진 중인 대표 사례로 꼽혀.1

최근 TSMC가 윈본드와 협력한다고 밝힌 것도 같은 흐름이야. 윈본드가 메모리 웨이퍼를 공급하고 TSMC가 스택을 조립하는 구조인데, 이게 마이크론·삼성·SK하이닉스 등 나머지 3대 메모리 제조사의 부담을 덜어준다는 평가가 나와.1

SK하이닉스 아메리카의 패키지 엔지니어링 부사장 Jaesik Lee는 지금 상황을 이렇게 요약해. “고객이 원하는 건 이제 다 커스텀입니다. 더 높은 대역폭을 원하니까요. 그런데 메모리 회사는 설계와 제조를 다 해야 하는데, 자원이 제한돼 있습니다.”1

숫자로 보는 이득

메모리 컨트롤러를 호스트에서 커스텀 base die로 옮기면 실제로 뭐가 좋아질까. PHY(물리 인터페이스)가 표준 D램 PHY보다 약 70% 작아지고, 컴퓨트 다이 위에서 확보하는 연산 능력이 약 25% 늘어나.1

메모리가 모자란데 더 만들어도 되나

메모리 공급이 이미 빠듯한데 커스텀 HBM까지 더하면 수요를 더 압박하는 거 아닐까 싶지만, 원문은 그렇게 안 봐. cHBM이 그 수요를 추가로 압박하지는 않을 거라는 게 업계 시각이야.1

오히려 공급 부족 자체에 대한 다른 대안도 같이 나와. 표준 D램 다이를 호스트 위에 쌓는 방식인데, 진짜 HBM 스택만큼 높지는 않지만 최대 4개까지 쌓을 수 있어. Synopsys는 이 방식으로 가는 프로젝트가 연간 20건이 안 될 거라고 봐.1

다음에 볼 것

지금 진행 중인 프로젝트들을 감안하면 커스텀 HBM 스택은 1~2년 안에 데이터센터에 등장할 걸로 예상돼.1 그런데 그 사이에도 공급 자체는 빠듯해. Malik은 메모리 공급사들이 이미 향후 1년 반에서 2년치 팹 생산분을 매진시켰다고 말해.1

커스텀 base die가 실제로 이 일정대로 나오는지, 그리고 그 무렵 공급 상황이 얼마나 풀리는지가 다음 확인 지점이야.

각주

  1. Semiconductor Engineering, Bryon Moyer, 「How Will The Custom HBM Business Work?」(2026-08-20) 원문 ↩︎ ↩︎2 ↩︎3 ↩︎4 ↩︎5 ↩︎6 ↩︎7 ↩︎8 ↩︎9 ↩︎10 ↩︎11 ↩︎12 ↩︎13